casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT40A1G8WE-083E AAT:B
codice articolo del costruttore | MT40A1G8WE-083E AAT:B |
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Numero di parte futuro | FT-MT40A1G8WE-083E AAT:B |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT40A1G8WE-083E AAT:B Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR4 |
Dimensione della memoria | 8Gb (1G x 8) |
Frequenza di clock | 1.2GHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.14V ~ 1.26V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 105°C (TC) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT40A1G8WE-083E AAT:B Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT40A1G8WE-083E AAT:B-FT |
MT29F384G08EBCBBB0KB3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F384G08EBHBBJ4-3R:B
Micron Technology Inc.
MT29F384G08EBHBBJ4-3R:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F3T08EUHBBM4-3R:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G01AAADDHC-ITX:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G01ADAGDWB-IT:G
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABADAH4-AATX:D
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABADAH4-AATX:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABADAH4-AITX:D
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABADAWP-AATX:D
Micron Technology Inc.
LCMXO2280E-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S200-4PQG208Q
Xilinx Inc.
AX125-FG256I
Microsemi Corporation
5CGXFC7D6F27I7N
Intel
5SGSMD6K1F40I2N
Intel
5SGXEA4K3F35I3N
Intel
XC4010E-2HQ208C
Xilinx Inc.
A40MX04-2PL84I
Microsemi Corporation
ICE40HX8K-CT256
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX360FF35C2XN
Intel