casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29F3T08EUHBBM4-3R:B TR

| codice articolo del costruttore | MT29F3T08EUHBBM4-3R:B TR |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-MT29F3T08EUHBBM4-3R:B TR |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| MT29F3T08EUHBBM4-3R:B TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Active |
| Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Formato di memoria | FLASH |
| Tecnologia | FLASH - NAND |
| Dimensione della memoria | 3Tb (384G x 8) |
| Frequenza di clock | 333MHz |
| Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
| Tempo di accesso | - |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Tensione - Fornitura | 2.5V ~ 3.6V |
| temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Tipo di montaggio | - |
| Pacchetto / caso | - |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| MT29F3T08EUHBBM4-3R:B TR Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | MT29F3T08EUHBBM4-3R:B TR-FT |

MT29F128G08AKCABH2-10ITZ:A TR
Micron Technology Inc.

MT29F128G08AKCABH2-10Z:A
Micron Technology Inc.

MT29F128G08AKCABH2-10Z:A TR
Micron Technology Inc.

MT29F128G08AMCABH2-10ITZ:A
Micron Technology Inc.

MT29F128G08AMCABH2-10ITZ:A TR
Micron Technology Inc.

MT29F128G08AMCDBJ5-6ITR:D
Micron Technology Inc.

MT29F128G08AMCDBJ5-6ITR:D TR
Micron Technology Inc.

MT29F128G08CBCEBL05B3WC1
Micron Technology Inc.

MT29F128G08CBEBBL85C3WC1-R
Micron Technology Inc.

MT29F128G08CBECBH6-12M:C
Micron Technology Inc.

LCMXO2280E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation

A54SX32A-2TQG144I
Microsemi Corporation

LFE2-20E-5QN208I
Lattice Semiconductor Corporation

5SGXEA7K3F40C2L
Intel

10M08SAU169I7G
Intel

XC2VP50-5FF1152I
Xilinx Inc.

XC4VLX25-11FFG676I
Xilinx Inc.

LFEC10E-3F256I
Lattice Semiconductor Corporation

LFE2-70SE-5FN672I
Lattice Semiconductor Corporation

EP20K160EBC356-1
Intel