casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT40A1G8SA-075:E TR
codice articolo del costruttore | MT40A1G8SA-075:E TR |
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Numero di parte futuro | FT-MT40A1G8SA-075:E TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT40A1G8SA-075:E TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR4 |
Dimensione della memoria | 8Gb (1G x 8) |
Frequenza di clock | 1.33GHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.14V ~ 1.26V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 95°C (TC) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT40A1G8SA-075:E TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT40A1G8SA-075:E TR-FT |
MT29F32G08CBACAL73A3WC1P
Micron Technology Inc.
MT29F32G08CBADAL83A3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F32G08CBADAL83A3WC1-M
Micron Technology Inc.
MT29F32G08CBADAWP-M:D
Micron Technology Inc.
MT29F32G08CBADAWP-M:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F32G08CBEDBL83A3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F384G08EBCBBB0KB3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F384G08EBHBBJ4-3R:B
Micron Technology Inc.
MT29F384G08EBHBBJ4-3R:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F3T08EUHBBM4-3R:B TR
Micron Technology Inc.
XC7S50-2FGGA484I
Xilinx Inc.
A3P600L-FG256I
Microsemi Corporation
EPF8452ATC100-4
Intel
10M16SCE144C8G
Intel
LFE3-150EA-8FN1156ITW
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA5U19C7N
Intel
5AGXFA5H4F35I3
Intel
EP2AGX260FF35I3N
Intel
EP4SGX70HF35C3
Intel