casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - RF / MT3S113P(TE12L,F)
codice articolo del costruttore | MT3S113P(TE12L,F) |
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Numero di parte futuro | FT-MT3S113P(TE12L,F) |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT3S113P(TE12L,F) Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 5.3V |
Frequenza - Transizione | 7.7GHz |
Figura del rumore (dB Typ @ f) | 1.45dB @ 1GHz |
Guadagno | 10.5dB |
Potenza - Max | 1.6W |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 30mA, 5V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-243AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | PW-MINI |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT3S113P(TE12L,F) Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT3S113P(TE12L,F)-FT |
2SC4227-T1-A
CEL
2SC4228-A
CEL
2SC4228-T1-A
CEL
BF799WE6327BTSA1
Infineon Technologies
BF799WH6327XTSA1
Infineon Technologies
BFR 181W E6327
Infineon Technologies
BFR 182W E6327
Infineon Technologies
BFR 183W E6327
Infineon Technologies
BFR 193W E6327
Infineon Technologies
BFR 92W E6327
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