casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - RF / BF799WE6327BTSA1
codice articolo del costruttore | BF799WE6327BTSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BF799WE6327BTSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BF799WE6327BTSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 20V |
Frequenza - Transizione | 800MHz |
Figura del rumore (dB Typ @ f) | 3dB @ 100MHz |
Guadagno | - |
Potenza - Max | 280mW |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 20mA, 10V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 35mA |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-70, SOT-323 |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-SOT323-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BF799WE6327BTSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BF799WE6327BTSA1-FT |
BF771E6327HTSA1
Infineon Technologies
BFR35APE6327HTSA1
Infineon Technologies
BFR92PE6327HTSA1
Infineon Technologies
2SA1977-A
CEL
2SA1977-T1B-A
CEL
2SA1978-A
CEL
2SA1978-T1B-A
CEL
2SC22950BL
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2SC24040CL
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2SC24040DL
Panasonic Electronic Components
A40MX02-2VQG80
Microsemi Corporation
LCMXO256E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC3E-3TN100C
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LCMXO2280E-4FT256I
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5SGSMD6N1F45I2N
Intel
LFXP2-30E-6FN672C
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LFXP2-17E-7QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260EF29C6NES
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EPF8452ALC84-2
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EP1SGX40DF1020I6N
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