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Toshiba Semiconductor and Storage MT3S111(TE85L,F)

Numero parte MFG
MT3S111(TE85L,F)
quantità disponibile
70770 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.19824
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Data di spedizione
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fabbricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descrizione
- RF TRANS NPN 6V 11.5GHZ SMINI
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - Bipolar (BJT) - RF
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
MT3S111(TE85L,F) Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 6V
Frequenza - Transizione 11.5GHz
Figura del rumore (dB Typ @ f) 1.2dB @ 1GHz
Guadagno 12dB
Potenza - Max 700mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 30mA, 5V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 100mA
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitore S-Mini
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
MT3S111(TE85L,F) Peso Contattaci
Numero parte di ricambio MT3S111(TE85L,F)-FT

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