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Toshiba Semiconductor and Storage MT3S111P(TE12L,F)

Name: MT3S111P(TE12L,F)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: MT3S111P(TE12L,F)
Price: 0.306 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (661 reviews)

Numero parte MFG: MT3S111P(TE12L,F)

quantità disponibile: 27110 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.306

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descrizione: - RF TRANS NPN 6V 8GHZ PW-MINI

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - Bipolar (BJT) - RF

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: MT3S111P(TE12L,F).pdf

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MT3S111P(TE12L,F) specificazioni

codice articolo del costruttore	MT3S111P(TE12L,F)
Numero di parte futuro	FT-MT3S111P(TE12L,F)
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
MT3S111P(TE12L,F) Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Transistor Type	NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	6V
Frequenza - Transizione	8GHz
Figura del rumore (dB Typ @ f)	1.25dB @ 1GHz
Guadagno	10.5dB
Potenza - Max	1W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	200 @ 30mA, 5V
Corrente - Collector (Ic) (Max)	100mA
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	TO-243AA
Pacchetto dispositivo fornitore	PW-MINI
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
MT3S111P(TE12L,F) Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	MT3S111P(TE12L,F)-FT

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