casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29F2T08EMHAFJ4-3T:A

| codice articolo del costruttore | MT29F2T08EMHAFJ4-3T:A |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-MT29F2T08EMHAFJ4-3T:A |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| MT29F2T08EMHAFJ4-3T:A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Active |
| Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Formato di memoria | FLASH |
| Tecnologia | FLASH - NAND |
| Dimensione della memoria | 2Tb (256G x 8) |
| Frequenza di clock | 333MHz |
| Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
| Tempo di accesso | - |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Tensione - Fornitura | 2.5V ~ 3.6V |
| temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Tipo di montaggio | - |
| Pacchetto / caso | - |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| MT29F2T08EMHAFJ4-3T:A Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | MT29F2T08EMHAFJ4-3T:A-FT |

MT29E2T08CTCCBJ7-6:C
Micron Technology Inc.

MT29E2T08CTCCBJ7-6:C TR
Micron Technology Inc.

MT29E2T08CUHBBM4-3:B
Micron Technology Inc.

MT29E2T08CUHBBM4-3:B TR
Micron Technology Inc.

MT29E3T08EUHBBM4-3:B
Micron Technology Inc.

MT29E3T08EUHBBM4-3:B TR
Micron Technology Inc.

MT29E4T08CTHBBM5-3:B
Micron Technology Inc.

MT29E4T08CTHBBM5-3:B TR
Micron Technology Inc.

MT29E512G08CEHBBJ4-3:B
Micron Technology Inc.

MT29E512G08CEHBBJ4-3:B TR
Micron Technology Inc.

APA750-FG896A
Microsemi Corporation

AGLN125V2-VQ100I
Microsemi Corporation

AT40K20AL-1CQC
Microchip Technology

EP4CE6F17C8
Intel

10AX027H2F35I2LG
Intel

A42MX09-PQG100I
Microsemi Corporation

LCMXO2-4000HE-6FG484C
Lattice Semiconductor Corporation

EP2AGX190FF35C4N
Intel

5CEFA2M13C8N
Intel

EP4SGX110FF35C2XN
Intel