casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29RZ2B1DZZHGWD-18I.83G
codice articolo del costruttore | MT29RZ2B1DZZHGWD-18I.83G |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-MT29RZ2B1DZZHGWD-18I.83G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29RZ2B1DZZHGWD-18I.83G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH, RAM |
Tecnologia | FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 |
Dimensione della memoria | 2Gb (256M x 8)(NAND), 1G (32M x 32)(LPDDR2) |
Frequenza di clock | 533MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.8V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 162-VFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 162-VFBGA (10.5x8) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29RZ2B1DZZHGWD-18I.83G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT29RZ2B1DZZHGWD-18I.83G-FT |
MT52L512M32D2PF-093 WT ES:B TR
Micron Technology Inc.
EDB4432BBPA-1D-F-D
Micron Technology Inc.
EDB4432BBPA-1D-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDB8132B4PB-8D-F-D
Micron Technology Inc.
EDB8132B4PB-8D-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDB8132B4PM-1D-F-D
Micron Technology Inc.
EDB8132B4PM-1D-F-R TR
Micron Technology Inc.
M58BW16FB5ZA3F
Micron Technology Inc.
M58BW16FB5ZA3F TR
Micron Technology Inc.
M58LT128HSB8ZA6E
Micron Technology Inc.
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-6BG400I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX290NF45I4N
Intel
XC7VX690T-2FFG1761C
Xilinx Inc.
XC7S50-1CSGA324C
Xilinx Inc.
APA075-TQG100
Microsemi Corporation
A42MX24-3PLG84I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-1300C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50SBC356-2X
Intel
5SGXMA3H2F35C2N
Intel