casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29F64G08AECDBJ4-6:D TR
codice articolo del costruttore | MT29F64G08AECDBJ4-6:D TR |
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Numero di parte futuro | FT-MT29F64G08AECDBJ4-6:D TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F64G08AECDBJ4-6:D TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Dimensione della memoria | 64Gb (8G x 8) |
Frequenza di clock | 166MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 132-VBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 132-VBGA (12x18) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F64G08AECDBJ4-6:D TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT29F64G08AECDBJ4-6:D TR-FT |
MT29F4T08CTHBBM5-3C:BTR
Micron Technology Inc.
MT29F4T08CTHBBM5-3RES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F4T08EYCBBG9-37:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F4T08EYCBBG9-37ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F4T08EYHBBG9-3R:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F4T08EYHBBG9-3RES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08AUCBBH8-6:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08AUCBBK8-6:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08AUEBBH8-12:B
Micron Technology Inc.
MT29F512G08AUEBBH8-12:B TR
Micron Technology Inc.
EPF8820ATC144-3
Intel
M2GL025T-1FG484
Microsemi Corporation
5SGXEB6R2F43C2L
Intel
EP4SE360F35C4
Intel
XC5VLX50T-3FF1136C
Xilinx Inc.
XC7K355T-1FFG901C
Xilinx Inc.
A54SX16A-1TQ100I
Microsemi Corporation
A40MX04-PQ100M
Microsemi Corporation
EP3CLS100F780I7
Intel
EP1S25F1020I6N
Intel