casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29F4T08CTHBBM5-3RES:B TR
codice articolo del costruttore | MT29F4T08CTHBBM5-3RES:B TR |
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Numero di parte futuro | FT-MT29F4T08CTHBBM5-3RES:B TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F4T08CTHBBM5-3RES:B TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Dimensione della memoria | 4Tb (512G x 8) |
Frequenza di clock | 333MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.5V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F4T08CTHBBM5-3RES:B TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT29F4T08CTHBBM5-3RES:B TR-FT |
MT29F32G08CBECBL73A3WC1P
Micron Technology Inc.
MT29F384G08EBCBBJ4-37:B
Micron Technology Inc.
MT29F384G08EBCBBJ4-37:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F384G08EBCBBJ4-37ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F384G08EBHBBB0KB3WC1-R
Micron Technology Inc.
MT29F384G08EBHBBJ4-3RES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F3T08EQCBBG2-37:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F3T08EQCBBG2-37ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F3T08EQHBBG2-3R:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F3T08EQHBBG2-3RES:B TR
Micron Technology Inc.
LCMXO2280E-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S200-4PQG208Q
Xilinx Inc.
AX125-FG256I
Microsemi Corporation
5CGXFC7D6F27I7N
Intel
5SGSMD6K1F40I2N
Intel
5SGXEA4K3F35I3N
Intel
XC4010E-2HQ208C
Xilinx Inc.
A40MX04-2PL84I
Microsemi Corporation
ICE40HX8K-CT256
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX360FF35C2XN
Intel