casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29F4G01ABBFD12-AATES:F
codice articolo del costruttore | MT29F4G01ABBFD12-AATES:F |
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Numero di parte futuro | FT-MT29F4G01ABBFD12-AATES:F |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F4G01ABBFD12-AATES:F Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Dimensione della memoria | 4Gb (4G x 1) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.95V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 105°C (TC) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F4G01ABBFD12-AATES:F Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT29F4G01ABBFD12-AATES:F-FT |
MT29F2G08ABAFAH4-IT:F TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAFAH4-ITS:F
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAFAH4-ITS:F TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAFAH4-S:F
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAFAH4-S:F TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABBEAH4:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABBEAHC-AIT:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABBEAM69A3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABBFAH4-IT:F
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABBFAH4-IT:F TR
Micron Technology Inc.
M2GL025TS-1FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX16A-FFG256
Microsemi Corporation
MPF200T-FCG484E
Microsemi Corporation
5CGXFC5C6F27C7N
Intel
5SGSED6N1F45C2LN
Intel
5SGXEB9R3H43C2L
Intel
A42MX24-1PQG160M
Microsemi Corporation
10M16DCU324A7G
Intel
5AGXMA1D6F31C6N
Intel
EP20K100EBC356-3N
Intel