casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29F3T08EQCBBG2-37ES:B TR
codice articolo del costruttore | MT29F3T08EQCBBG2-37ES:B TR |
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Numero di parte futuro | FT-MT29F3T08EQCBBG2-37ES:B TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F3T08EQCBBG2-37ES:B TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Dimensione della memoria | 3Tb (384G x 8) |
Frequenza di clock | 267MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F3T08EQCBBG2-37ES:B TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT29F3T08EQCBBG2-37ES:B TR-FT |
MT29F2G01ABBGDM79A3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F2G01ABBGDSF-IT:G
Micron Technology Inc.
MT29F2G01ABBGDSF-IT:G TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAEAH4-E:E
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAEAH4-E:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAEAH4-ITE:E
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAEAH4-ITE:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAEAM69A3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAEAWP-AT:E
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAEAWP-AT:E TR
Micron Technology Inc.
XC3S1500-4FG676I
Xilinx Inc.
XA7A25T-1CSG325I
Xilinx Inc.
A3P125-2PQ208
Microsemi Corporation
MPF300TLS-FCG484I
Microsemi Corporation
10M40DAF256I7G
Intel
5SGXEA7K2F40C2
Intel
5SGSMD8K3F40C4N
Intel
XC6VLX75T-1FF484I
Xilinx Inc.
AT6003-2JI
Microchip Technology
EPF10K30RI240-4
Intel