casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29F32G08AFACAWP-ITZ:C
codice articolo del costruttore | MT29F32G08AFACAWP-ITZ:C |
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Numero di parte futuro | FT-MT29F32G08AFACAWP-ITZ:C |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F32G08AFACAWP-ITZ:C Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Dimensione della memoria | 32Gb (4G x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 48-TSOP I |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F32G08AFACAWP-ITZ:C Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT29F32G08AFACAWP-ITZ:C-FT |
MT29F256G08EBHAFB16A3WEA
Micron Technology Inc.
MT29F256G08EBHAFB16A3WSA
Micron Technology Inc.
MT29F256G08EBHAFB16A3WTA
Micron Technology Inc.
MT29F256G08EBHAFJ4-3RES:A
Micron Technology Inc.
MT29F256G08EBHAFJ4-3RES:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08EECBBJ4-10ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08EECBBJ4-6:B
Micron Technology Inc.
MT29F256G08EECBBJ4-6:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08EECDBJ4-5M:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08EFCDBWP-10M:D TR
Micron Technology Inc.
EP1K30TC144-1N
Intel
LFEC3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
APA300-PQ208
Microsemi Corporation
ICE65L04F-LCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C35U484C8N
Intel
A42MX24-2PL84I
Microsemi Corporation
M1AGL1000V2-FGG144
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-7FN672CTW
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180HF35I4N
Intel