casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29F4G08ABBFAH4-AATES:F TR
codice articolo del costruttore | MT29F4G08ABBFAH4-AATES:F TR |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-MT29F4G08ABBFAH4-AATES:F TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100 |
MT29F4G08ABBFAH4-AATES:F TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Dimensione della memoria | 4Gb (512M x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.95V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 105°C (TA) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F4G08ABBFAH4-AATES:F TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT29F4G08ABBFAH4-AATES:F TR-FT |
MT29F32G08ABAAAM73A3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F32G08ABAAAM73A3WC1P
Micron Technology Inc.
MT29F32G08ABAAAWP-IT:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F32G08ABAAAWP-ITZ:A
Micron Technology Inc.
MT29F32G08ABAAAWP:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F32G08ABCABH1-10:A
Micron Technology Inc.
MT29F32G08ABCABH1-10:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F32G08ABCDBJ4-6:D
Micron Technology Inc.
MT29F32G08ABEABM73A3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F32G08ABEABM73A3WC1P
Micron Technology Inc.
XC7S50-2FGGA484I
Xilinx Inc.
A3P600L-FG256I
Microsemi Corporation
EPF8452ATC100-4
Intel
10M16SCE144C8G
Intel
LFE3-150EA-8FN1156ITW
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA5U19C7N
Intel
5AGXFA5H4F35I3
Intel
EP2AGX260FF35I3N
Intel
EP4SGX70HF35C3
Intel