casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29F2T08CTCBBJ7-6C:B
codice articolo del costruttore | MT29F2T08CTCBBJ7-6C:B |
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Numero di parte futuro | FT-MT29F2T08CTCBBJ7-6C:B |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F2T08CTCBBJ7-6C:B Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Dimensione della memoria | 2Tb (256G x 8) |
Frequenza di clock | 167MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F2T08CTCBBJ7-6C:B Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT29F2T08CTCBBJ7-6C:B-FT |
MT29F256G08CJABAWP:B
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CJABAWP:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CJABBWP-12:B
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CJABBWP-12:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CKCABH2-10:A
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CKCABH2-10:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CKCABH2-12:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CKCBBH2-10:B
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CKCBBH2-10:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CKCDBJ5-6R:D
Micron Technology Inc.
XC7A50T-2FG484I
Xilinx Inc.
XC4028XL-2BG256I
Xilinx Inc.
A42MX09-1TQG176M
Microsemi Corporation
M1A3P400-FGG144
Microsemi Corporation
LFEC6E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50E-6F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO256C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80F1508C7
Intel
EP4CE55F29I8L
Intel
EP20K600CB652C8
Intel