casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29F2T08CTCBBJ7-6C:B

| codice articolo del costruttore | MT29F2T08CTCBBJ7-6C:B |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-MT29F2T08CTCBBJ7-6C:B |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| MT29F2T08CTCBBJ7-6C:B Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Formato di memoria | FLASH |
| Tecnologia | FLASH - NAND |
| Dimensione della memoria | 2Tb (256G x 8) |
| Frequenza di clock | 167MHz |
| Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
| Tempo di accesso | - |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
| temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Tipo di montaggio | - |
| Pacchetto / caso | - |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| MT29F2T08CTCBBJ7-6C:B Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | MT29F2T08CTCBBJ7-6C:B-FT |

MT29F256G08CJABAWP:B
Micron Technology Inc.

MT29F256G08CJABAWP:B TR
Micron Technology Inc.

MT29F256G08CJABBWP-12:B
Micron Technology Inc.

MT29F256G08CJABBWP-12:B TR
Micron Technology Inc.

MT29F256G08CKCABH2-10:A
Micron Technology Inc.

MT29F256G08CKCABH2-10:A TR
Micron Technology Inc.

MT29F256G08CKCABH2-12:A TR
Micron Technology Inc.

MT29F256G08CKCBBH2-10:B
Micron Technology Inc.

MT29F256G08CKCBBH2-10:B TR
Micron Technology Inc.

MT29F256G08CKCDBJ5-6R:D
Micron Technology Inc.

A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation

LCMXO3L-4300C-6BG400I
Lattice Semiconductor Corporation

EP4SGX290NF45I4N
Intel

XC7VX690T-2FFG1761C
Xilinx Inc.

XC7S50-1CSGA324C
Xilinx Inc.

APA075-TQG100
Microsemi Corporation

A42MX24-3PLG84I
Microsemi Corporation

LCMXO3L-1300C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation

EPF10K50SBC356-2X
Intel

5SGXMA3H2F35C2N
Intel