casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29F2G08ABBEAM69A3WC1
codice articolo del costruttore | MT29F2G08ABBEAM69A3WC1 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-MT29F2G08ABBEAM69A3WC1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F2G08ABBEAM69A3WC1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Dimensione della memoria | 2Gb (256M x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.95V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F2G08ABBEAM69A3WC1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT29F2G08ABBEAM69A3WC1-FT |
MT29F256G08CECBBH6-6R:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CECCBH6-6C:C
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CECCBH6-6ITR:C
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CECCBH6-6ITR:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CECCBH6-6R:C
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CECCBH6-6R:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CECEBJ4-37ITRES:E
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CECEBJ4-37ITRES:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CEEABH6-12:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CEEABH6-12IT:A TR
Micron Technology Inc.
XC6SLX100-2FG484I
Xilinx Inc.
EP4S100G2F40I1N
Intel
5SGXMA5H2F35I3LN
Intel
A1020B-PL44C
Microsemi Corporation
XC5VLX330T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
XC6SLX4-2CPG196I
Xilinx Inc.
A54SX32A-FBG329
Microsemi Corporation
LCMXO2-256ZE-2UMG64I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C4LN
Intel