casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29F32G08FAAWP-ET:A TR
codice articolo del costruttore | MT29F32G08FAAWP-ET:A TR |
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Numero di parte futuro | FT-MT29F32G08FAAWP-ET:A TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F32G08FAAWP-ET:A TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Dimensione della memoria | 32Gb (4G x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 48-TSOP I |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F32G08FAAWP-ET:A TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT29F32G08FAAWP-ET:A TR-FT |
MT28F320J3FS-11 ET TR
Micron Technology Inc.
MT28F320J3FS-11 GMET
Micron Technology Inc.
MT28F320J3FS-11 GMET TR
Micron Technology Inc.
MT28F320J3FS-11 MET
Micron Technology Inc.
MT28F320J3FS-11 MET TR
Micron Technology Inc.
MT28F640J3BS-115 ET
Micron Technology Inc.
MT28F640J3BS-115 ET TR
Micron Technology Inc.
MT28F640J3BS-115 GMET
Micron Technology Inc.
MT28F640J3BS-115 GMET TR
Micron Technology Inc.
MT28F640J3BS-115 MET
Micron Technology Inc.
A54SX32A-TQG144
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280C-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED8K3F40I4N
Intel
10CX150YF672E6G
Intel
5SGXEA9N3F45I4N
Intel
LFEC33E-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-5BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H3F34E2SG
Intel
EP3SE50F780C4
Intel