casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT28F640J3BS-115 GMET
codice articolo del costruttore | MT28F640J3BS-115 GMET |
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Numero di parte futuro | FT-MT28F640J3BS-115 GMET |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT28F640J3BS-115 GMET Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH |
Dimensione della memoria | 64Mb (8M x 8, 4M x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | 115ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 64-FBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 64-FBGA (10x13) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT28F640J3BS-115 GMET Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT28F640J3BS-115 GMET-FT |
MT29F32G08CBADBWP-12IT:D
Micron Technology Inc.
MT29F32G08CBADBWPR:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABAEAWP:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABADAWP-AIT:D
Micron Technology Inc.
MT29F64G08AFAAAWP-ITZ:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBABAWP-M:B
Micron Technology Inc.
MT29F8G08ABABAWP-AATX:B
Micron Technology Inc.
MT29F8G08ABABAWP-AATX:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F8G08ABABAWP-AITX:B
Micron Technology Inc.
MT29F8G08ABABAWP-AITX:B TR
Micron Technology Inc.
A1010B-VQG80C
Microsemi Corporation
XC3S1600E-4FG400I
Xilinx Inc.
XC3S5000-5FGG900C
Xilinx Inc.
M1A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
APA300-BG456
Microsemi Corporation
A40MX02-PL68
Microsemi Corporation
EP3SL150F1152I4
Intel
XC4010E-3PC84I
Xilinx Inc.
XC2VP50-7FFG1152C
Xilinx Inc.
EP1C20F324C6
Intel