casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29E2T08CUHBBM4-3:B
codice articolo del costruttore | MT29E2T08CUHBBM4-3:B |
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Numero di parte futuro | FT-MT29E2T08CUHBBM4-3:B |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29E2T08CUHBBM4-3:B Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Dimensione della memoria | 2Tb (256G x 8) |
Frequenza di clock | 333MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.5V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29E2T08CUHBBM4-3:B Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT29E2T08CUHBBM4-3:B-FT |
MT53D768M64D8NZ-046 WT:E TR
Micron Technology Inc.
MT53E1G32D4NQ-053 WT:E
Micron Technology Inc.
MT53E1G32D4NQ-053 WT:E TR
Micron Technology Inc.
MT53E2G32D8QD-053 WT:E
Micron Technology Inc.
MT53E2G32D8QD-053 WT:E TR
Micron Technology Inc.
MT53E512M32D2NP-046 WT:E
Micron Technology Inc.
MT53E512M32D2NP-046 WT:E TR
Micron Technology Inc.
MT53E512M64D4NW-053 WT:E
Micron Technology Inc.
MT53E512M64D4NW-053 WT:E TR
Micron Technology Inc.
NV25080DWHFT3G
ON Semiconductor
LCMXO2-640ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F484C2
Intel
EP4CE115F23I8L
Intel
XC7VX415T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
LFXP3E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-640E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP20K100BC356-2N
Intel
EP4SGX360FF35C4
Intel