casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29F256G08CMCABJ2-10RZ:A TR
codice articolo del costruttore | MT29F256G08CMCABJ2-10RZ:A TR |
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Numero di parte futuro | FT-MT29F256G08CMCABJ2-10RZ:A TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F256G08CMCABJ2-10RZ:A TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Dimensione della memoria | 256Gb (32G x 8) |
Frequenza di clock | 100MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F256G08CMCABJ2-10RZ:A TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT29F256G08CMCABJ2-10RZ:A TR-FT |
MT29F1T08CUEABH8-12:A
Micron Technology Inc.
MT29F1T08CUEABH8-12:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F1T08CUEABH8-12IT:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F1T08CUECBH8-12:C
Micron Technology Inc.
MT29F1T08CUECBH8-12:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F1T08EEHAFJ4-3TES:A
Micron Technology Inc.
MT29F1T08EEHAFJ4-3TES:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F1T08EMHAFJ4-3RES:A
Micron Technology Inc.
MT29F1T08EMHAFJ4-3RES:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F1T208ECCBBJ4-37:B
Micron Technology Inc.
XC6SLX150T-2FGG484I
Xilinx Inc.
M1A3P400-2PQG208
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V1500-4BGG575C
Xilinx Inc.
AX500-FGG676
Microsemi Corporation
LFX200EB-05FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA9F31C8N
Intel
EP20K1000EBI652-2X
Intel