casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29F2G08ABBGAM79A3WC1
codice articolo del costruttore | MT29F2G08ABBGAM79A3WC1 |
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Numero di parte futuro | FT-MT29F2G08ABBGAM79A3WC1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F2G08ABBGAM79A3WC1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Dimensione della memoria | 2Gb (256M x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.95V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F2G08ABBGAM79A3WC1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT29F2G08ABBGAM79A3WC1-FT |
MT29E1HT08EMHBBJ4-3:B TR
Micron Technology Inc.
MT29E1T08CMHBBJ4-3:B
Micron Technology Inc.
MT29E1T08CMHBBJ4-3:B TR
Micron Technology Inc.
MT29E1T08CUCCBH8-6:C
Micron Technology Inc.
MT29E1T08CUCCBH8-6:C TR
Micron Technology Inc.
MT29E256G08CECCBH6-6:C
Micron Technology Inc.
MT29E256G08CECCBH6-6:C TR
Micron Technology Inc.
MT29E2T08CTCCBJ7-6:C
Micron Technology Inc.
MT29E2T08CTCCBJ7-6:C TR
Micron Technology Inc.
MT29E2T08CUHBBM4-3:B
Micron Technology Inc.
XA2S200E-6FT256Q
Xilinx Inc.
APA450-FG484
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-6900C-5BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED8K3F40C2L
Intel
10CL025YE144I7G
Intel
XC7VX690T-2FFG1927I
Xilinx Inc.
5AGXBB5D4F35C5N
Intel
EP3SL150F780C2N
Intel
EPF10K200SBC356-3
Intel