casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29F256G08CBCBBL06B3WC1
codice articolo del costruttore | MT29F256G08CBCBBL06B3WC1 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-MT29F256G08CBCBBL06B3WC1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F256G08CBCBBL06B3WC1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Dimensione della memoria | 256Gb (32G x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F256G08CBCBBL06B3WC1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT29F256G08CBCBBL06B3WC1-FT |
MT25TL512BBA8ESF-0AAT TR
Micron Technology Inc.
MT25TL512HBA8E12-0AAT TR
Micron Technology Inc.
MT25TL512HBA8ESF-0AAT
Micron Technology Inc.
MT25TL512HBA8ESF-0AAT TR
Micron Technology Inc.
MT28EW128ABA1HPN-0SIT TR
Micron Technology Inc.
MT28EW128ABA1LPN-0SIT TR
Micron Technology Inc.
MT28EW256ABA1HPN-0SIT TR
Micron Technology Inc.
MT28EW512ABA1HPN-0SIT TR
Micron Technology Inc.
MT28EW512ABA1LPN-0SIT TR
Micron Technology Inc.
MT28FW01GABA1HPC-0AAT
Micron Technology Inc.
A42MX36-BGG272
Microsemi Corporation
A3PN125-Z2VQ100
Microsemi Corporation
EP2C70F672I8
Intel
EP4CGX110DF27C8N
Intel
EP20K30EFI144-2X
Intel
XC7K480T-L2FFG901I
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CPG238I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-6FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C5N
Intel
EP1C12F324C7N
Intel