casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT25TL512HBA8ESF-0AAT
codice articolo del costruttore | MT25TL512HBA8ESF-0AAT |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-MT25TL512HBA8ESF-0AAT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100 |
MT25TL512HBA8ESF-0AAT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 512Mb (64M x 8) |
Frequenza di clock | 133MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 8ms, 2.8ms |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 105°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 16-SOP2 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT25TL512HBA8ESF-0AAT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT25TL512HBA8ESF-0AAT-FT |
MT53D1024M32D4DT-053 AAT:D
Micron Technology Inc.
MT53D1024M32D4DT-053 AAT:D TR
Micron Technology Inc.
MT53D1024M32D4DT-053 AIT:D
Micron Technology Inc.
MT53D1024M32D4DT-053 AIT:D TR
Micron Technology Inc.
MT53D1024M32D4DT-053 WT:D
Micron Technology Inc.
MT53D1024M32D4DT-053 WT:D TR
Micron Technology Inc.
MT53D1536M32D6BE-053 WT:D
Micron Technology Inc.
MT53D1G64D8NZ-046 WT:E
Micron Technology Inc.
MT53D1G64D8NZ-046 WT:E TR
Micron Technology Inc.
MT53D256M64D4KA-046 XT:B
Micron Technology Inc.
XC4006E-2TQ144I
Xilinx Inc.
A54SX32A-CQ208M
Microsemi Corporation
M2GL050-1VFG400
Microsemi Corporation
10CX220YF780I5G
Intel
5CGXFC4F6M11I7N
Intel
XC7VX690T-L2FFG1761E
Xilinx Inc.
A42MX09-TQG176
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQ160
Microsemi Corporation
LFE2M35SE-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EBC356-2
Intel