casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29F256G08AUCABJ3-10Z:A TR
codice articolo del costruttore | MT29F256G08AUCABJ3-10Z:A TR |
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Numero di parte futuro | FT-MT29F256G08AUCABJ3-10Z:A TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F256G08AUCABJ3-10Z:A TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Dimensione della memoria | 256Gb (32G x 8) |
Frequenza di clock | 100MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F256G08AUCABJ3-10Z:A TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT29F256G08AUCABJ3-10Z:A TR-FT |
MT25TL512BBA8E12-0AAT
Micron Technology Inc.
MT25TL512BBA8E12-0AAT TR
Micron Technology Inc.
MT25TL512BBA8ESF-0AAT TR
Micron Technology Inc.
MT25TL512HBA8E12-0AAT TR
Micron Technology Inc.
MT25TL512HBA8ESF-0AAT
Micron Technology Inc.
MT25TL512HBA8ESF-0AAT TR
Micron Technology Inc.
MT28EW128ABA1HPN-0SIT TR
Micron Technology Inc.
MT28EW128ABA1LPN-0SIT TR
Micron Technology Inc.
MT28EW256ABA1HPN-0SIT TR
Micron Technology Inc.
MT28EW512ABA1HPN-0SIT TR
Micron Technology Inc.
M2GL025-FCSG325I
Microsemi Corporation
M1A3P600-PQG208
Microsemi Corporation
EP4SGX360KF43C3
Intel
XC7S15-1CPGA196C
Xilinx Inc.
A42MX16-3TQ176I
Microsemi Corporation
A54SX08A-FGG144
Microsemi Corporation
A42MX16-3PQ100I
Microsemi Corporation
LFXP15C-4FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-6SE-5F256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7C6U19C6N
Intel