casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29F1G08ABBEAH4-ITX:E
codice articolo del costruttore | MT29F1G08ABBEAH4-ITX:E |
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Numero di parte futuro | FT-MT29F1G08ABBEAH4-ITX:E |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F1G08ABBEAH4-ITX:E Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Dimensione della memoria | 1Gb (128M x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.95V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 63-VFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 63-VFBGA (9x11) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F1G08ABBEAH4-ITX:E Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT29F1G08ABBEAH4-ITX:E-FT |
MT41K256M16TW-107 XIT:P TR
Micron Technology Inc.
MT41K64M16TW-107 AAT:J
Micron Technology Inc.
MT41K64M16TW-107 AIT:J
Micron Technology Inc.
MT41K64M16TW-107 AIT:J TR
Micron Technology Inc.
MT41K64M16TW-107 AUT:J
Micron Technology Inc.
MT41K64M16TW-107 AUT:J TR
Micron Technology Inc.
MT41K64M16TW-107 IT:J TR
Micron Technology Inc.
MT41K64M16TW-107 XIT:J TR
Micron Technology Inc.
EDY4016AABG-DR-F-D
Micron Technology Inc.
EDY4016AABG-DR-F-R TR
Micron Technology Inc.
EPF10K10TC144-4
Intel
A3P125-2PQG208
Microsemi Corporation
A54SX16A-PQG208I
Microsemi Corporation
LFE2M70E-6F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA5K2F35C3N
Intel
XC4028XL-1BG256C
Xilinx Inc.
A42MX24-3PL84
Microsemi Corporation
LFE2M20E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F40I2LG
Intel
EP3C80F780C8N
Intel