casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / EDY4016AABG-DR-F-R TR
codice articolo del costruttore | EDY4016AABG-DR-F-R TR |
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Numero di parte futuro | FT-EDY4016AABG-DR-F-R TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EDY4016AABG-DR-F-R TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR4 |
Dimensione della memoria | 4Gb (256M x 16) |
Frequenza di clock | 1.2GHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.14V ~ 1.26V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 95°C (TC) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 96-TFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 96-FBGA (7.5x13.5) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EDY4016AABG-DR-F-R TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | EDY4016AABG-DR-F-R TR-FT |
W947D6HBHX5E
Winbond Electronics
W947D6HBHX5I
Winbond Electronics
MT46H128M16LFDD-48 AIT:C
Micron Technology Inc.
MT46H128M16LFDD-48 IT:C
Micron Technology Inc.
MT46H128M16LFDD-48 IT:C TR
Micron Technology Inc.
MT46H128M16LFDD-48 WT:C
Micron Technology Inc.
MT46H32M16LFBF-5 AIT:C
Micron Technology Inc.
MT46H32M16LFBF-5 IT:C TR
Micron Technology Inc.
MT46H32M16LFBF-6 AAT:C
Micron Technology Inc.
MT46H32M16LFBF-6 AT:C
Micron Technology Inc.
EPF10K10TC144-4
Intel
A3P125-2PQG208
Microsemi Corporation
A54SX16A-PQG208I
Microsemi Corporation
LFE2M70E-6F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA5K2F35C3N
Intel
XC4028XL-1BG256C
Xilinx Inc.
A42MX24-3PL84
Microsemi Corporation
LFE2M20E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F40I2LG
Intel
EP3C80F780C8N
Intel