casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / EDY4016AABG-DR-F-R TR
codice articolo del costruttore | EDY4016AABG-DR-F-R TR |
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Numero di parte futuro | FT-EDY4016AABG-DR-F-R TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EDY4016AABG-DR-F-R TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR4 |
Dimensione della memoria | 4Gb (256M x 16) |
Frequenza di clock | 1.2GHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.14V ~ 1.26V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 95°C (TC) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 96-TFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 96-FBGA (7.5x13.5) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EDY4016AABG-DR-F-R TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | EDY4016AABG-DR-F-R TR-FT |
W947D6HBHX5E
Winbond Electronics
W947D6HBHX5I
Winbond Electronics
MT46H128M16LFDD-48 AIT:C
Micron Technology Inc.
MT46H128M16LFDD-48 IT:C
Micron Technology Inc.
MT46H128M16LFDD-48 IT:C TR
Micron Technology Inc.
MT46H128M16LFDD-48 WT:C
Micron Technology Inc.
MT46H32M16LFBF-5 AIT:C
Micron Technology Inc.
MT46H32M16LFBF-5 IT:C TR
Micron Technology Inc.
MT46H32M16LFBF-6 AAT:C
Micron Technology Inc.
MT46H32M16LFBF-6 AT:C
Micron Technology Inc.
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200AN-4FTG256C
Xilinx Inc.
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC7A50T-2CS325I
Xilinx Inc.
5CEBA9F27C7N
Intel
5SGXEA5H1F35I2N
Intel
LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel