casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29F1G08ABAEAWP-ITX:E TR
codice articolo del costruttore | MT29F1G08ABAEAWP-ITX:E TR |
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Numero di parte futuro | FT-MT29F1G08ABAEAWP-ITX:E TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F1G08ABAEAWP-ITX:E TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Dimensione della memoria | 1Gb (128M x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 48-TSOP I |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F1G08ABAEAWP-ITX:E TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT29F1G08ABAEAWP-ITX:E TR-FT |
MT29F1G01AAADDH4-ITX:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABADAH4-IT:D
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABADAH4-IT:D
Micron Technology Inc.
MT29F1G16ABBDAHC-IT:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G16ABBEAH4-ITX:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAEAH4-IT:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAEAH4-ITX:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABADAH4:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABBDAH4-IT:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G16ABBEAH4-AITX:E
Micron Technology Inc.
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
LAXP2-5E-5TN144E
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V40-5FG256I
Xilinx Inc.
XC4010E-4PQ208C
Xilinx Inc.
XC7A25T-2CSG325C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FGG256
Microsemi Corporation
AGL060V2-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE15U14A7N
Intel
EPF10K30EFC256-2N
Intel
EPF8636AQC208-3
Intel