casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29F4G08ABADAH4:D TR
codice articolo del costruttore | MT29F4G08ABADAH4:D TR |
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Numero di parte futuro | FT-MT29F4G08ABADAH4:D TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F4G08ABADAH4:D TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Dimensione della memoria | 4Gb (512M x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 63-VFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 63-VFBGA (9x11) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F4G08ABADAH4:D TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT29F4G08ABADAH4:D TR-FT |
MT41K64M16TW-107:J
Micron Technology Inc.
MT41K128M16JT-125 XIT:K
Micron Technology Inc.
MT41K128M16JT-125 AIT:K TR
Micron Technology Inc.
MT41K256M16TW-107 AAT:P TR
Micron Technology Inc.
MT41K64M16TW-107 AAT:J TR
Micron Technology Inc.
MT41K64M16TW-107:J TR
Micron Technology Inc.
MT41K128M16JT-125 AIT:K
Micron Technology Inc.
MT41K256M16TW-107 AIT:P
Micron Technology Inc.
MT40A1G16WBU-083E:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A512M16JY-075E AIT:B TR
Micron Technology Inc.
XA3S1600E-4FG400I
Xilinx Inc.
XA3S250E-4VQG100I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FCSG325I
Microsemi Corporation
EP4CE15F17A7N
Intel
ICE40LM2K-CM36
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC10E-3QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-7LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780I3N
Intel
EP2AGZ300FF35I4N
Intel