casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29F128G08CBEABL85A3WC1
codice articolo del costruttore | MT29F128G08CBEABL85A3WC1 |
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Numero di parte futuro | FT-MT29F128G08CBEABL85A3WC1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F128G08CBEABL85A3WC1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Dimensione della memoria | 128Gb (16G x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F128G08CBEABL85A3WC1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT29F128G08CBEABL85A3WC1-FT |
MT29E256G08CMCDBJ5-6:D TR
Micron Technology Inc.
MT29E2T08CTCBBJ7-6:B TR
Micron Technology Inc.
MT29E2T08CUHBBM4-3ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29E384G08EBHBBJ4-3:B
Micron Technology Inc.
MT29E384G08EBHBBJ4-3:B TR
Micron Technology Inc.
MT29E384G08EBHBBJ4-3ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29E3T08EQHBBG2-3:B
Micron Technology Inc.
MT29E3T08EQHBBG2-3ES:B
Micron Technology Inc.
MT29E3T08EUHBBM4-3ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29E4T08CTHBBM5-3ES:B TR
Micron Technology Inc.
A42MX36-BGG272
Microsemi Corporation
A3PN125-Z2VQ100
Microsemi Corporation
EP2C70F672I8
Intel
EP4CGX110DF27C8N
Intel
EP20K30EFI144-2X
Intel
XC7K480T-L2FFG901I
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CPG238I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-6FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C5N
Intel
EP1C12F324C7N
Intel