casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29E384G08EBHBBJ4-3ES:B TR
codice articolo del costruttore | MT29E384G08EBHBBJ4-3ES:B TR |
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Numero di parte futuro | FT-MT29E384G08EBHBBJ4-3ES:B TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29E384G08EBHBBJ4-3ES:B TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Dimensione della memoria | 384Gb (48G x 8) |
Frequenza di clock | 333MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.5V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29E384G08EBHBBJ4-3ES:B TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT29E384G08EBHBBJ4-3ES:B TR-FT |
MT29C2G24MAABAKAKD-5 IT
Micron Technology Inc.
MT29C2G24MAABAKAKD-5 IT TR
Micron Technology Inc.
MT29C2G24MAABAKAMD-5 IT
Micron Technology Inc.
MT29C2G24MAABAKAMD-5 IT TR
Micron Technology Inc.
MT29C2G24MAABAKAML-5 E IT
Micron Technology Inc.
MT29C2G24MAABAKAML-5 IT
Micron Technology Inc.
MT29C2G48MAKLCJI-6 IT
Micron Technology Inc.
MT29C2G48MAKLCJI-6 IT TR
Micron Technology Inc.
MT29C3DAMF-DC TR
Micron Technology Inc.
MT29C3DBAN-DC TR
Micron Technology Inc.
M2GL025TS-1FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX16A-FFG256
Microsemi Corporation
MPF200T-FCG484E
Microsemi Corporation
5CGXFC5C6F27C7N
Intel
5SGSED6N1F45C2LN
Intel
5SGXEB9R3H43C2L
Intel
A42MX24-1PQG160M
Microsemi Corporation
10M16DCU324A7G
Intel
5AGXMA1D6F31C6N
Intel
EP20K100EBC356-3N
Intel