casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29F128G08CBCEBL05B3WC1ES
codice articolo del costruttore | MT29F128G08CBCEBL05B3WC1ES |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-MT29F128G08CBCEBL05B3WC1ES |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
MT29F128G08CBCEBL05B3WC1ES Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | - |
Formato di memoria | - |
Tecnologia | - |
Dimensione della memoria | - |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | - |
Tensione - Fornitura | - |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F128G08CBCEBL05B3WC1ES Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT29F128G08CBCEBL05B3WC1ES-FT |
MT29E1T208ECHBBJ4-3:B TR
Micron Technology Inc.
MT29E1T208ECHBBJ4-3ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29E256G08CBHBBJ4-3ES:B
Micron Technology Inc.
MT29E256G08CECBBH6-6:B TR
Micron Technology Inc.
MT29E256G08CMCABJ2-10Z:A
Micron Technology Inc.
MT29E256G08CMCABJ2-10Z:A TR
Micron Technology Inc.
MT29E256G08CMCDBJ5-6:D
Micron Technology Inc.
MT29E256G08CMCDBJ5-6:D TR
Micron Technology Inc.
MT29E2T08CTCBBJ7-6:B TR
Micron Technology Inc.
MT29E2T08CUHBBM4-3ES:B TR
Micron Technology Inc.
LFXP3C-3T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1600E-5FG320C
Xilinx Inc.
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
ICE40UL640-SWG16ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-1VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N1F45C2LN
Intel
A1010B-2PLG44C
Microsemi Corporation
LFX200B-05FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C5N
Intel
5SGXEA3H3F35C2LN
Intel