casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29E1T208ECHBBJ4-3ES:B TR
codice articolo del costruttore | MT29E1T208ECHBBJ4-3ES:B TR |
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Numero di parte futuro | FT-MT29E1T208ECHBBJ4-3ES:B TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29E1T208ECHBBJ4-3ES:B TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Dimensione della memoria | 1.125Tb (144G x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.5V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29E1T208ECHBBJ4-3ES:B TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT29E1T208ECHBBJ4-3ES:B TR-FT |
MT29C2G24MAAAAHAML-5 IT
Micron Technology Inc.
MT29C2G24MAAAAKAKD-5 IT
Micron Technology Inc.
MT29C2G24MAAAAKAKD-5 IT TR
Micron Technology Inc.
MT29C2G24MAAAAKAMD-5 IT
Micron Technology Inc.
MT29C2G24MAAAAKAMD-5 IT TR
Micron Technology Inc.
MT29C2G24MAAAAKAML-5 IT
Micron Technology Inc.
MT29C2G24MAABAHAKC-5 E IT
Micron Technology Inc.
MT29C2G24MAABAHAKC-5 IT
Micron Technology Inc.
MT29C2G24MAABAHAMD-5 E IT
Micron Technology Inc.
MT29C2G24MAABAHAMD-5 IT
Micron Technology Inc.
APA750-FG896A
Microsemi Corporation
AGLN125V2-VQ100I
Microsemi Corporation
AT40K20AL-1CQC
Microchip Technology
EP4CE6F17C8
Intel
10AX027H2F35I2LG
Intel
A42MX09-PQG100I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-6FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX190FF35C4N
Intel
5CEFA2M13C8N
Intel
EP4SGX110FF35C2XN
Intel