casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29F128G08CBCEBJ4-37ES:E TR
codice articolo del costruttore | MT29F128G08CBCEBJ4-37ES:E TR |
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Numero di parte futuro | FT-MT29F128G08CBCEBJ4-37ES:E TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F128G08CBCEBJ4-37ES:E TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Dimensione della memoria | 128Gb (16G x 8) |
Frequenza di clock | 267MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F128G08CBCEBJ4-37ES:E TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT29F128G08CBCEBJ4-37ES:E TR-FT |
MT29E1T08CPCBBH8-6:B TR
Micron Technology Inc.
MT29E1T08CUCBBH8-6:B TR
Micron Technology Inc.
MT29E1T208ECHBBJ4-3:B
Micron Technology Inc.
MT29E1T208ECHBBJ4-3:B TR
Micron Technology Inc.
MT29E1T208ECHBBJ4-3ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29E256G08CBHBBJ4-3ES:B
Micron Technology Inc.
MT29E256G08CECBBH6-6:B TR
Micron Technology Inc.
MT29E256G08CMCABJ2-10Z:A
Micron Technology Inc.
MT29E256G08CMCABJ2-10Z:A TR
Micron Technology Inc.
MT29E256G08CMCDBJ5-6:D
Micron Technology Inc.
XC3S200A-5FG320C
Xilinx Inc.
M2GL010-VFG400I
Microsemi Corporation
5SGXMBBR3H43C2LN
Intel
XC5VLX50-1FFG1153C
Xilinx Inc.
XC2VP4-6FF672C
Xilinx Inc.
XC5VLX30-1FFG676I
Xilinx Inc.
XC7A35T-2CS324I
Xilinx Inc.
ICE40LM1K-CM36TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H2F34I2SGES
Intel
5AGXBB3D4F35C5N
Intel