casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT28FW512ABA1HJS-0AAT
codice articolo del costruttore | MT28FW512ABA1HJS-0AAT |
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Numero di parte futuro | FT-MT28FW512ABA1HJS-0AAT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100 |
MT28FW512ABA1HJS-0AAT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 512Mb (32M x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 60ns |
Tempo di accesso | 105ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 105°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 56-TSOP (14x20) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT28FW512ABA1HJS-0AAT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT28FW512ABA1HJS-0AAT-FT |
M68AW128ML70ZB6
STMicroelectronics
M68AW256ML70ZB6
STMicroelectronics
M87C257-15C1
STMicroelectronics
M87C257-15C6
STMicroelectronics
M87C257-90C1
STMicroelectronics
M87C257-90C1TR
STMicroelectronics
M95160-RCS6TP/S
STMicroelectronics
M95M01-RCS6TP/A
STMicroelectronics
MB85R256GPF-G-BND-ERE1
Fujitsu Electronics America, Inc.
MB85R256GPF-G-BNDE1
Fujitsu Electronics America, Inc.
XC3S50A-4VQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-2FG484I
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
5AGZME5K3F40I4N
Intel
10CX150YF672E5G
Intel
AX500-FGG676M
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG144I
Microsemi Corporation
A54SX32A-2FGG144
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-9400C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation