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Fujitsu Electronics America, Inc. MB85R256GPF-G-BND-ERE1
- Numero parte MFG
- MB85R256GPF-G-BND-ERE1
- quantità disponibile
- 28450 pezzi
- Prezzo di riferimento
- USD 0
- Il nostro prezzo
- Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci
- Data di spedizione
- Oggi possiamo spedire
- fabbricante
- Fujitsu Electronics America, Inc.
- Breve descrizione
- - IC FRAM 256K PARALLEL 28SOP
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Conformità RoHS (senza piombo)
- Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
- 1 (illimitato)
- Codice data (D / C)
- Nuovo
- categoria di prodotto
- Memoria
- Risorsa stock
- Distributore in franchising
- Garanzia
- 360 giorni di garanzia di qualità
- scheda dati
- MB85R256GPF-G-BND-ERE1.pdf
MB85R256GPF-G-BND-ERE1 specificazioni
| codice articolo del costruttore | MB85R256GPF-G-BND-ERE1 |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-MB85R256GPF-G-BND-ERE1 |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| MB85R256GPF-G-BND-ERE1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Formato di memoria | FRAM |
| Tecnologia | FRAM (Ferroelectric RAM) |
| Dimensione della memoria | 256Kb (32K x 8) |
| Frequenza di clock | - |
| Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 150ns |
| Tempo di accesso | 150ns |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | - |
| Pacchetto / caso | - |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| MB85R256GPF-G-BND-ERE1 Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | MB85R256GPF-G-BND-ERE1-FT |
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