casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MB85R256GPF-G-BND-ERE1
codice articolo del costruttore | MB85R256GPF-G-BND-ERE1 |
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Numero di parte futuro | FT-MB85R256GPF-G-BND-ERE1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MB85R256GPF-G-BND-ERE1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FRAM |
Tecnologia | FRAM (Ferroelectric RAM) |
Dimensione della memoria | 256Kb (32K x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 150ns |
Tempo di accesso | 150ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MB85R256GPF-G-BND-ERE1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MB85R256GPF-G-BND-ERE1-FT |
M50FW040K5G
Micron Technology Inc.
M50FW040K5TG TR
Micron Technology Inc.
M50FW040N1
Micron Technology Inc.
M50FW040N5G
Micron Technology Inc.
M50FW040N5TG TR
Micron Technology Inc.
M50FW040NB5G
Micron Technology Inc.
M50FW040NB5TG TR
Micron Technology Inc.
M50FW080K5G
Micron Technology Inc.
M50FW080K5TG TR
Micron Technology Inc.
M50FW080N1
Micron Technology Inc.
A1020B-VQ80I
Microsemi Corporation
XC4020XL-2HT144C
Xilinx Inc.
A54SX16A-FG256I
Microsemi Corporation
A3PN125-VQG100I
Microsemi Corporation
EP2C35F484I8
Intel
10M08SAU169A7G
Intel
5SGXEA5K1F35C2LN
Intel
5SGXEA4K1F35I2N
Intel
AX1000-1FGG676I
Microsemi Corporation
EPF10K50SQC208-1N
Intel