casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / S34MS01G200BHV003
codice articolo del costruttore | S34MS01G200BHV003 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-S34MS01G200BHV003 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MS-2 |
S34MS01G200BHV003 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Last Time Buy |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Dimensione della memoria | 1Gb (128M x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 45ns |
Tempo di accesso | 45ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.95V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 105°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 63-VFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 63-BGA (11x9) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S34MS01G200BHV003 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S34MS01G200BHV003-FT |
S34ML02G200BHI000
Cypress Semiconductor Corp
S34ML08G101BHB000
Cypress Semiconductor Corp
S34ML01G200BHI500
Cypress Semiconductor Corp
S34MS04G204BHI010
Cypress Semiconductor Corp
S34MS02G100BHI000
Cypress Semiconductor Corp
S34MS04G200BHV000
Cypress Semiconductor Corp
S34MS01G204BHI010
Cypress Semiconductor Corp
S34ML04G104BHI010
Cypress Semiconductor Corp
S34ML08G201BHI000
Cypress Semiconductor Corp
S34ML04G204BHI010
Cypress Semiconductor Corp