casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT53D1G64D8NZ-046 WT:E
codice articolo del costruttore | MT53D1G64D8NZ-046 WT:E |
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Numero di parte futuro | FT-MT53D1G64D8NZ-046 WT:E |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT53D1G64D8NZ-046 WT:E Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Dimensione della memoria | 64Gb (1G x 64) |
Frequenza di clock | 2133MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | - |
Tensione - Fornitura | 1.1V |
temperatura di esercizio | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53D1G64D8NZ-046 WT:E Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT53D1G64D8NZ-046 WT:E-FT |
EN-20 256GB I-GRADE
Swissbit
EN-20 32GB I-GRADE
Swissbit
EN-20 64GB I-GRADE
Swissbit
GD25LE64CLIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ128DVIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ16C8IGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ16LIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ20CUIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ64CVIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD5F1GQ4RF9IGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
A54SX32A-TQG144
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280C-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED8K3F40I4N
Intel
10CX150YF672E6G
Intel
5SGXEA9N3F45I4N
Intel
LFEC33E-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-5BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H3F34E2SG
Intel
EP3SE50F780C4
Intel