casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / M58WR064KB70ZB6E
codice articolo del costruttore | M58WR064KB70ZB6E |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-M58WR064KB70ZB6E |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M58WR064KB70ZB6E Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 64Mb (4M x 16) |
Frequenza di clock | 66MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 70ns |
Tempo di accesso | 70ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 2V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 56-VFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 56-VFBGA (7.7x9) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M58WR064KB70ZB6E Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | M58WR064KB70ZB6E-FT |
M50FLW040AK5TG TR
Micron Technology Inc.
M50FLW040AN5G
Micron Technology Inc.
M50FLW040ANB5G
Micron Technology Inc.
M50FLW040ANB5TG TR
Micron Technology Inc.
M50FLW040BK5G
Micron Technology Inc.
M50FLW040BN5G
Micron Technology Inc.
M50FLW040BNB5G
Micron Technology Inc.
M50FLW040BNB5TG TR
Micron Technology Inc.
M50FLW080AK5G
Micron Technology Inc.
M50FLW080AK5TG TR
Micron Technology Inc.
LCMXO2-640ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F484C2
Intel
EP4CE115F23I8L
Intel
XC7VX415T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
LFXP3E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-640E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP20K100BC356-2N
Intel
EP4SGX360FF35C4
Intel