casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / MSS1P6HM3/89A
codice articolo del costruttore | MSS1P6HM3/89A |
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Numero di parte futuro | FT-MSS1P6HM3/89A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, eSMP® |
MSS1P6HM3/89A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 60V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 680mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 150µA @ 60V |
Capacità @ Vr, F | 40pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AD |
Pacchetto dispositivo fornitore | MicroSMP (DO-219AD) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MSS1P6HM3/89A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MSS1P6HM3/89A-FT |
V12P10HE3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
V12P10HM3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
V12P12-5001M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
V12P12-5001M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
V12P12-5300M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
V8P10-E3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
V8P10-E3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
V8P10HE3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
V8P10HM3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
P600J-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2VP40-6FGG676C
Xilinx Inc.
XC4036XL-1HQ304C
Xilinx Inc.
XC2V1000-5FGG456I
Xilinx Inc.
EP4CGX50CF23I7N
Intel
5SGXMB9R2H43I2LN
Intel
5SGXEB5R2F43C2N
Intel
XC4028XL-3HQ208I
Xilinx Inc.
LFE5U-12F-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70DF29C3N
Intel
EPF10K20RC208-3
Intel