casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / V12P12-5001M3/87A
codice articolo del costruttore | V12P12-5001M3/87A |
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Numero di parte futuro | FT-V12P12-5001M3/87A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | eSMP®, TMBS® |
V12P12-5001M3/87A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 120V |
Corrente: media rettificata (Io) | 12A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 800mV @ 12A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500µA @ 120V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-277, 3-PowerDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-277A (SMPC) |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
V12P12-5001M3/87A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | V12P12-5001M3/87A-FT |
SS10P3HM3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS10P4-E3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS10P4-E3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS10P4HM3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS10P4HM3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS10P5HM3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS10P5HM3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS10P6HM3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS10P6HM3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS10PH10HM3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
AGLN020V2-UCG81
Microsemi Corporation
A3P1000-2FGG484I
Microsemi Corporation
EP20K300EFC672-2XA
Intel
5SGXMA7N2F45C2
Intel
M1AGL600V5-FG144I
Microsemi Corporation
LFXP3E-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-5BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35C6
Intel
EP1C12F324C8
Intel
EPF6024AQC208-3
Intel