casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / MSS1P6-E3/89A
codice articolo del costruttore | MSS1P6-E3/89A |
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Numero di parte futuro | FT-MSS1P6-E3/89A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | eSMP® |
MSS1P6-E3/89A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 60V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 680mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 150µA @ 60V |
Capacità @ Vr, F | 40pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | MicroSMP |
Pacchetto dispositivo fornitore | MicroSMP |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MSS1P6-E3/89A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MSS1P6-E3/89A-FT |
V12P10HE3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
V12P10HE3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
V12P10HM3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
V12P12-5001M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
V12P12-5001M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
V12P12-5300M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
V8P10-E3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
V8P10-E3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
V8P10HE3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
V8P10HM3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2280E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL090-FCSG325I
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-85F-6BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7N2F40I3LN
Intel
5SGXEA5H2F35I3
Intel
XC7A15T-3CPG236E
Xilinx Inc.
5AGXFB1H6F35C6N
Intel
EP1S80B956C6N
Intel
EP4SGX180HF35C4
Intel