casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MSRT200100(A)
codice articolo del costruttore | MSRT200100(A) |
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Numero di parte futuro | FT-MSRT200100(A) |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MSRT200100(A) Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 200A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 200A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 600V |
Temperatura operativa - Giunzione | - |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Three Tower |
Pacchetto dispositivo fornitore | Three Tower |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MSRT200100(A) Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MSRT200100(A)-FT |
GSXD030A010S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXF030A100S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXD080A006S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXD120A006S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXF100A120S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXD120A010S1-D3
Global Power Technologies Group
GHXS020A060S-D3
Global Power Technologies Group
GSXD060A004S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXD050A004S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXD160A020S1-D3
Global Power Technologies Group
XC6SLX45-2CSG484I
Xilinx Inc.
LFE2-12E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX04-2PLG68
Microsemi Corporation
A3P030-2VQG100
Microsemi Corporation
EP3SL50F484I4N
Intel
5SGSMD4E2H29C2L
Intel
5SGXMA7K2F35I3LN
Intel
A1010B-2PL44C
Microsemi Corporation
LFEC15E-4FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD3H2F35C3N
Intel