casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MSCD100-16
codice articolo del costruttore | MSCD100-16 |
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Numero di parte futuro | FT-MSCD100-16 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MSCD100-16 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Configurazione diodi | 1 Pair Series Connection |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1600V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 100A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.35V @ 300A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5mA @ 1600V |
Temperatura operativa - Giunzione | - |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | D1 |
Pacchetto dispositivo fornitore | D1 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MSCD100-16 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MSCD100-16-FT |
APT15D100BCTG
Microsemi Corporation
APT15D40BCTG
Microsemi Corporation
APT15D60BCTG
Microsemi Corporation
APT30D20BCTG
Microsemi Corporation
APT30D40BCTG
Microsemi Corporation
APT30S20BCTG
Microsemi Corporation
APT30DQ120BCTG
Microsemi Corporation
APT30D30BCTG
Microsemi Corporation
APT10SCD120BCT
Microsemi Corporation
APT15D100BHBG
Microsemi Corporation
XC6SLX150T-3FGG676C
Xilinx Inc.
LFE2M70SE-6F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-4300C-6BG324C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K2F40C3N
Intel
EP3SL200H780I3N
Intel
EP2AGX125DF25I3
Intel
5SGXEA9K2H40I3L
Intel
XC7VX485T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29C5NES
Intel
EP1S30F780C8N
Intel