casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / APT30DQ120BCTG
codice articolo del costruttore | APT30DQ120BCTG |
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Numero di parte futuro | FT-APT30DQ120BCTG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
APT30DQ120BCTG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 30A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 3.3V @ 30A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 320ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 1200V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247 [B] |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT30DQ120BCTG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APT30DQ120BCTG-FT |
BAV99W/ZLX
Nexperia USA Inc.
BAW56W,115
Nexperia USA Inc.
BAW56W,135
Nexperia USA Inc.
BAW56W/ZLF
Nexperia USA Inc.
BAW56W/ZLX
Nexperia USA Inc.
BAV99,215
Nexperia USA Inc.
BAS70-04,215
Nexperia USA Inc.
BAT54S,215
Nexperia USA Inc.
BAW56,235
Nexperia USA Inc.
PMBD7000,235
Nexperia USA Inc.
XC6SLX45-2CSG484I
Xilinx Inc.
LFE2-12E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX04-2PLG68
Microsemi Corporation
A3P030-2VQG100
Microsemi Corporation
EP3SL50F484I4N
Intel
5SGSMD4E2H29C2L
Intel
5SGXMA7K2F35I3LN
Intel
A1010B-2PL44C
Microsemi Corporation
LFEC15E-4FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD3H2F35C3N
Intel