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codice articolo del costruttore | MBRF10200CT-LJ |
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Numero di parte futuro | FT-MBRF10200CT-LJ |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
MBRF10200CT-LJ Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 910mV @ 5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 200V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Pacchetto dispositivo fornitore | ITO-220AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRF10200CT-LJ Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBRF10200CT-LJ-FT |
MBR1060CTF-E1
Diodes Incorporated
MBR10H100CT-E1
Diodes Incorporated
MBR10H100CTH
ON Semiconductor
MBR15100CT-E1
Diodes Incorporated
MBR15100CT-G1
Diodes Incorporated
MBR15100CTF-E1
Diodes Incorporated
MBR15100CTF-G1
Diodes Incorporated
MBR1545CTH
ON Semiconductor
MBR15H35CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR15H35CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
XA6SLX75-2FGG484Q
Xilinx Inc.
A3PN125-ZVQG100
Microsemi Corporation
AGLN060V2-ZVQG100
Microsemi Corporation
5SGXMA4H2F35C2N
Intel
XC7VX550T-2FFG1158C
Xilinx Inc.
XC7VX690T-L2FFG1157E
Xilinx Inc.
A42MX09-FTQ176
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA5D4F35C4N
Intel
EPF6016BI256-3
Intel