casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MSAD100-18
codice articolo del costruttore | MSAD100-18 |
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Numero di parte futuro | FT-MSAD100-18 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MSAD100-18 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Anode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1800V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 100A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.35V @ 300A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5mA @ 1800V |
Temperatura operativa - Giunzione | - |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | D1 |
Pacchetto dispositivo fornitore | D1 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MSAD100-18 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MSAD100-18-FT |
MBRB30H45CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB30H50CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB30H50CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB30H50CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB30H60CT-1H
ON Semiconductor
MBRB30H60CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB30H90CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB30H90CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB41H100CT-1H
ON Semiconductor
MBRD640CTT4H
ON Semiconductor
EX128-TQ64I
Microsemi Corporation
XC2S50-5FGG256C
Xilinx Inc.
XA3S1600E-4FGG484I
Xilinx Inc.
AX1000-FGG484M
Microsemi Corporation
XC7A25T-L1CPG238I
Xilinx Inc.
5CGXFC4C6U19C6N
Intel
5CGXFC7C7U19C8N
Intel
10AX057N2F40E2SG
Intel
EP20K1000CB652C7N
Intel
EPF10K50SQC208-3
Intel