casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MSAD100-16
codice articolo del costruttore | MSAD100-16 |
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Numero di parte futuro | FT-MSAD100-16 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MSAD100-16 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Anode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1600V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 100A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.35V @ 300A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5mA @ 1600V |
Temperatura operativa - Giunzione | - |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | D1 |
Pacchetto dispositivo fornitore | D1 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MSAD100-16 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MSAD100-16-FT |
APT30DQ60BCTG
Microsemi Corporation
APT30D100BCTG
Microsemi Corporation
APT30D120BCTG
Microsemi Corporation
APT15D100BCTG
Microsemi Corporation
APT15D40BCTG
Microsemi Corporation
APT15D60BCTG
Microsemi Corporation
APT30D20BCTG
Microsemi Corporation
APT30D40BCTG
Microsemi Corporation
APT30S20BCTG
Microsemi Corporation
APT30DQ120BCTG
Microsemi Corporation
ICE40UP5K-SG48ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
XC4010XL-1TQ144I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-3TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
A1010B-PQ100C
Microsemi Corporation
XC3S400AN-4FTG256C
Xilinx Inc.
AGLN010V5-UCG36
Microsemi Corporation
EP4CGX75DF27C7
Intel
10M25DCF256C7G
Intel
5SGSMD8K3F40I3N
Intel
LCMXO2-7000HE-6BG332C
Lattice Semiconductor Corporation