codice articolo del costruttore | MS2473 |
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Numero di parte futuro | FT-MS2473 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MS2473 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 65V |
Frequenza - Transizione | 1.09GHz |
Figura del rumore (dB Typ @ f) | - |
Guadagno | 6dB |
Potenza - Max | 2300W |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 5 @ 1A, 5V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 46A |
temperatura di esercizio | 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | M112 |
Pacchetto dispositivo fornitore | M112 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MS2473 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MS2473-FT |
JAN2N2857
Microsemi Corporation
JAN2N2857UB
Microsemi Corporation
JAN2N4957
Microsemi Corporation
JANS2N2857UB-LC
Microsemi Corporation
JANTX2N2857UB
Microsemi Corporation
JANTXV2N2857
Microsemi Corporation
JANTXV2N2857UB
Microsemi Corporation
JANTXV2N4957
Microsemi Corporation
JANTXV2N4957UB
Microsemi Corporation
MC1331
Microsemi Corporation
LFEC6E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX36-2PQG240I
Microsemi Corporation
EP1K10TC100-2N
Intel
10M08DCV81C8G
Intel
EP4SE530H35C2
Intel
EP4SE820H35I4
Intel
LFXP2-30E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA9U19C8N
Intel
10AX090H3F34I2SG
Intel
EP4SGX110HF35I4N
Intel