casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - RF / JAN2N2857UB
codice articolo del costruttore | JAN2N2857UB |
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Numero di parte futuro | FT-JAN2N2857UB |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
JAN2N2857UB Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 15V |
Frequenza - Transizione | - |
Figura del rumore (dB Typ @ f) | 4.5dB @ 450MHz |
Guadagno | 21dB |
Potenza - Max | 200mW |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 3mA, 1V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 40mA |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 3-SMD, No Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore | UB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN2N2857UB Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JAN2N2857UB-FT |
48042
Microsemi Corporation
58048
Microsemi Corporation
60099H
Microsemi Corporation
60158
Microsemi Corporation
60159
Microsemi Corporation
60168
Microsemi Corporation
60180
Microsemi Corporation
60189
Microsemi Corporation
60205
Microsemi Corporation
60206
Microsemi Corporation
XC6SLX150-3FGG676I
Xilinx Inc.
XC4008E-4PQ208I
Xilinx Inc.
A3PE1500-2FG484I
Microsemi Corporation
M1AFS250-2FG256I
Microsemi Corporation
A40MX02-PLG68A
Microsemi Corporation
EP20K200FI484-2N
Intel
10AX032H4F34I3SG
Intel
XC5VFX30T-2FFG665C
Xilinx Inc.
XC5VLX50-1FFG1153C
Xilinx Inc.
5CGXFC4C6U19A7N
Intel